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Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
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浏览/下载:271/0
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提交时间:2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
Small $\textit{V}_{\text{th}}$ Shift and Low Dynamic $\textit{R}_{\textsc{on}}$ in GaN MOSHEMT With ZrO $_{\text{2}}$ Gate Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 5590-5595
作者:
Yu Zhang
;
Yitian Gu
;
Jiaxiang Chen
;
Yitai Zhu
;
Baile Chen
Adobe PDF(1973Kb)
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收藏
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浏览/下载:181/1
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提交时间:2023/10/07
Dynamic ON-resistance ( $\textit{R}_{\biosc{on}}$ )
GaN
metal–oxide–semiconductor high-electron mobility transistor (MOSHEMT)
threshold voltage ( $\textit{V}_{\text{th}}$ ) instability
ZrOTEXPRESERVE13 dielectric
Dynamic Characteristics of GaN MISHEMT With 5-nm In-Situ SiNx Dielectric Layer
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2022, 卷号: 10, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Lihua Xu
;
Yitian Gu
;
Haowen Guo
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(3413Kb)
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浏览/下载:248/1
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提交时间:2022/07/29
Comparative Study on Dynamic Characteristics of GaN HEMT at 300K and 150K
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2020, 卷号: 8, 页码: 850-856
作者:
Yangqian Wang
;
Yitian Gu
;
Xing Lu
;
Huaxing Jiang
;
Haowen Guo
Adobe PDF(2778Kb)
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浏览/下载:305/0
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提交时间:2020/09/01
Vertical beta-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Enhanced Breakdown Voltage and High Switching Performance
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019
作者:
Lu, Xing
;
Zhang, Xu
;
Jiang, Huaxing
;
Zou, Xinbo
;
Lau, Kei May
Adobe PDF(1119Kb)
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浏览/下载:319/0
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提交时间:2019/10/14
breakdown voltages
edge termination
reverse recovery
Schottky barrier diodes
beta-Ga2O3
Vertical Schottky barrier diodes based on a bulk $\beta$ -Ga2O3 substrate with high switching performance
会议论文
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW), Nara, Japan, 19-23 May 2019
作者:
Lu, Xing
;
Zhang, Xu
;
Jiang, Huaxing
;
Zou, Xinbo
;
Lau, Kei May
Adobe PDF(41Kb)
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浏览/下载:232/0
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提交时间:2020/07/14
Switches
Silicon
Substrates
Schottky diodes
Schottky barriers
Voltage
Performance evaluation
High Performance Monolithically Integrated GaN Driving VMOSFET on LED
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 752-755
作者:
Lu Xing
;
Liu Chao
;
Jiang Huaxing
;
Zou Xinbo
;
Kei May Lau
Adobe PDF(799Kb)
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浏览/下载:167/0
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提交时间:2023/03/30
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