消息
×
loading..
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [17]
信息科学与技术学院 [6]
作者
郝修军 [16]
陈佰乐 [5]
邓卓 [3]
李萌 [3]
杨辉 [2]
黄健 [2]
更多...
文献类型
期刊论文 [16]
学位论文 [1]
发表日期
2022 [2]
2021 [4]
2020 [7]
2019 [2]
2018 [2]
出处
IEEE JOURN... [2]
IEEE PHOTO... [2]
ACTA PHYSI... [1]
CHINESE PH... [1]
CHINESE PH... [1]
ELECTRONIC... [1]
更多...
语种
英语 [10]
中文 [1]
资助项目
Chinese Ac... [1]
Chinese Ac... [1]
Key Fronti... [1]
Key Fronti... [1]
National K... [1]
National N... [1]
更多...
资助机构
收录类别
EI [15]
SCI [14]
SCIE [14]
CSCD [2]
ESCI [1]
北大核心 [1]
更多...
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
只显示已认领条目
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
Short wavelength infrared InPSb/InAs superlattice photodiode grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
PHYSICA SCRIPTA, 2022, 卷号: 97, 期号: 3
作者:
Zhu, Hong
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Hao, Xiujun
;
Teng, Yan
Adobe PDF(977Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:223/0
|
提交时间:2022/03/07
InPSb
InAs superlattices
short wavelength infrared photodetector
metalorganic chemical vapor deposition
High-operating-temperature MWIR photodetector based on a InAs/GaSb superlattice grown by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2022, 卷号: 43, 期号: 1
作者:
Hao, Xiujun
;
Teng, Yan
Adobe PDF(458Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:368/0
|
提交时间:2022/02/13
Aluminum
Antimony compounds
Gallium compounds
Heterojunctions
III-V semiconductors
Indium antimonides
Indium arsenide
Infrared radiation
Lattice mismatch
Organic chemicals
Organometallics
Photodetectors
Photons
Temperature
Aluminum-free
Cutoff wavelengths
High operating temperature
High resolution xray diffraction (XRD)
High-crystalline quality
InAs/GaSb superlattices
Infrared photodetector
Metal-organic chemical vapour depositions
MWIR
Operating temperature
无权访问的条目
学位论文
作者:
郝修军
Adobe PDF(3193Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:126/0
|
提交时间:2021/11/13
Long-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Detectors With Low Dark Current Density Grown by MOCVD
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2021, 卷号: 33, 期号: 9
作者:
He Zhu
;
Xiujun Hao
;
Yan Teng
;
Jiafeng Liu
;
Hong Zhu
Adobe PDF(683Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:311/7
|
提交时间:2021/05/10
InAs/GaSb superlattice
long-wavelength infrared
device physics
metal-organic chemical vapor deposition
六方氮化硼层间气泡制备与压强研究
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 6
作者:
姜程鑫
;
陈令修
;
王慧山
;
王秀君
;
陈晨
Adobe PDF(1652Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:797/1
|
提交时间:2021/07/16
六方氮化硼
等离子体处理
纳米气泡
范德瓦耳斯异质结
Demonstration of MOCVD-Grown Long-Wavelength Infrared InAs/GaSb Superlattice Focal Plane Array
期刊论文
IEEE ACCESS, 2021, 卷号: 9
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Hong Zhu
;
He Zhu
;
Jiafeng Liu
Adobe PDF(6711Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:550/10
|
提交时间:2021/05/10
Long-wavelength infrared
InAs/GaSb superlattice
focal plane array
metalorganic chemical vapor deposition
Growth and characterization of InGaAs/InAsSb superlattices by metal-organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 146
作者:
Zhu, Hong
;
Chen, Ying
;
Zhao, Yu
;
Li, Xin
;
Teng, Yan
Adobe PDF(838Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:252/3
|
提交时间:2020/11/02
InGaAs/InAsSb superlattices
Mid-wavelength infrared
Metal-organic chemical vapor deposition
Photoluminescence
Long-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Detectors on InAs Substrates With n-on-p Polarity
期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 卷号: 56, 期号: 5
作者:
Jiafeng Liu
;
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
Adobe PDF(4219Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:219/2
|
提交时间:2020/07/22
Short-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice hole avalanche photodiode
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11
作者:
Liu, Jia-Feng
;
Zhang, Ning-Tao
;
Teng, Yan
;
Hao, Xiu-Jun
;
Zhao, Yu
Adobe PDF(606Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:326/1
|
提交时间:2020/11/24
short-wavelength infrared
InAs/GaSb superlattice
avalanche photodiodes
metal-organic chemical vapor deposition
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:245/0
|
提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
首页
上一页
1
2
下一页
末页