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Outstanding phase-change behaviors of GaGeSbTe material for phase-change memory application 期刊论文
MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2022, 卷号: 149
作者:  Fang, Wencheng
Adobe PDF(4043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：280/0  |  提交时间：2022/01/28
Endurance characteristics of phase change memory cells 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 卷号: 37, 期号: 5
作者:  Huo Ruru;  Cai Daolin;  Chen, Bomy;  Chen Yifeng;  Wang Yuchan
Adobe PDF(1634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：507/6  |  提交时间：2019/06/26
Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 33, 期号: 3
作者:  
Adobe PDF(1066Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：442/0  |  提交时间：2017/07/04
Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming 期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: Q13-Q16
作者:  Wang, Yueqing;  Cai, Daolin;  Chen, Yifeng;  Wang, Yuchan;  Wei, Hongyang
Adobe PDF(884Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：429/1  |  提交时间：2017/07/04
操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响 期刊论文
半导体技术, 2015, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 944-949
作者:  霍如如;  蔡道林;  陈一峰;  王玉婵;  王月青
Adobe PDF(1698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：274/0  |  提交时间：2022/12/14
Optimizing Set Performance for Phase Change Memory with Dual Pulses Set Method 期刊论文
ECS SOLID STATE LETTERS, 2015, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: Q32-Q35
作者:  Wang, Yueqing;  Cai, Daolin;  Chen, Yifeng;  Wang, Yuchan;  Wei, Hongyang
Adobe PDF(860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：377/0  |  提交时间：2017/07/04
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