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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性（英文） 期刊论文
红外与毫米波学报, 2024, 卷号: 43, 期号: 01, 页码: 63-69
作者:  郭子路
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The study and optimization of ICP deep etching at a low-temperature for InP solid-immersion metalens fabrication 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 卷号: 166
作者:  Zhu, Yicheng;  Wang, Wenjuan;  Zhou, Min;  Qu, Huidan;  Li, Guanhai
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Material Defects and Dark Currents in InGaAs/InP Avalanche Photodiode Devices 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 9, 页码: 4944-4949
作者:  Zilu Guo;  Wenjuan Wang;  Yangjun Li;  Huidan Qu;  Liuyan Fan
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High performance InGaAs/InP avalanche photodiode integrated with metal-insulator-metal microcavity 期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 卷号: 53, 期号: 6
作者:  Han, Hao;  Zhu, Yicheng;  Guo, Zilu;  Li, Zhifeng;  Qu, Huidan
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InGaAsP/InP single photon avalanche diodes with ultra-high photon detection efficiency 期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 卷号: 52, 期号: 6
作者:  Zhou, Min;  Wang, Wenjuan;  Qu, Huidan;  Han, Hao;  Zhu, Yicheng
Adobe PDF(977Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：288/2  |  提交时间：2020/06/17
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