消息
×
loading..
中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Temperature-Dependent Electrical and Trap Properties of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes w/o homoepitaxial layer 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS (APWS)
作者:  Chen, Jiaxiang
收藏  |  浏览/下载：165/0  |  提交时间：2024/12/01
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页