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1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo
Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2025/04/02
Temperature-Dependent Electrical and Trap Properties of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes w/o homoepitaxial layer 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS (APWS)
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Du, Haitao;  Gao, Han;  Lu, Xing
收藏  |  浏览/下载：165/0  |  提交时间：2024/12/01
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