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Effect of As2 flux on the growth of InAs/InGaAs dot-in-well structure by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2025, 卷号: 663
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Wang, Kun
;
Wu, Jian-Chu
;
Yang, Chen
;
Huang, Hua
Adobe PDF(5150Kb)
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浏览/下载:28/1
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提交时间:2025/05/06
InAs quantum dot
Dot-in-well structure
Arsenic flux
Molecular beam epitaxy
Interband transitions of InAs/AlAs Short-Period superlattices grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2023, 卷号: 605
作者:
Yao, Lu
;
Wang, Wenyang
;
Yao, Jinshan
;
Lu, Kechao
;
Lu, Hong
Adobe PDF(1253Kb)
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浏览/下载:330/2
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提交时间:2023/03/10
luminum
Aluminum compounds
III-V semiconductors
Indium
Indium arsenide
Molecular beams
Optical properties
Semiconductor quantum wells
Spectroscopic ellipsometry
A1.
A3.
B1.
B2.
Inter-band transition
Molecular-beam epitaxy
Semiconducting ternary materials
Short period superlattice
Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 599
作者:
Lin, Si-Wei
;
Yan, Jin-Yi
;
Zhao, Xu-Yi
;
Yu, Wen-Fu
;
Gong, Qian
Adobe PDF(1863Kb)
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浏览/下载:302/0
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提交时间:2022/11/08
A1. Characterization
A1. X-ray diffraction
A3. Molecular beam epitaxy
B2. Semiconducting III-V materials
Growth and characterization of InAs/InP0.69Sb0.31 superlattice by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 595
作者:
Li, Meng
;
Zhu, Hong
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(4829Kb)
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浏览/下载:364/0
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提交时间:2022/09/02
Atomic force microscopy
Chemical detection
Indium arsenide
Infrared radiation
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Photoluminescence
Surface morphology
Transmission electron microscopy
A1.
A3.
Antimonides
B1.
InAs/InP
Metal-organic chemical vapour depositions
Scanning transmission electron microscopes
Influence of sapphire substrate miscut on the surface morphology and microstructure of AlN films grown by HVPE
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 592
作者:
Di Li, Di
;
Su, Xu Jun
;
Chen, Jing Jing
;
Wang, Lu Hua
;
Huang, Jun
Adobe PDF(6762Kb)
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浏览/下载:338/0
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提交时间:2022/06/10
Aluminum nitride
Chlorine compounds
Flow of gases
Hydrides
III-V semiconductors
Microstructure
Morphology
Sapphire
Substrates
Surface morphology
Vapor phase epitaxy
Wide band gap semiconductors
A1.
A3.
B1.
B2.
Crystal morphologies
Growth models
Hydride vapor phase epitaxy
Semiconducting III-V materials
Semiconducting III/V-materials
Melt convection and temperature distribution in 300 mm Czochralski crystal growth with transverse magnetic field
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 591
作者:
Chen, Songsong
;
Liu, Wenkai
;
Li, Minghao
;
Jiang, Fuman
;
Wen, Zhican
Adobe PDF(4006Kb)
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浏览/下载:272/3
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提交时间:2022/06/10
Crystal growth from melt
Crystal orientation
Electric conductivity
Flow patterns
Heat transfer
Silicon
A1.
A2.
Crystal conductivity
Czochralski silicon crystal growths
Melt convection
Melt flow
Transverse magnetic field
Effects of 6H-SiC substrate polarity on the morphology and microstructure of AlN films by HVPE with varied V/III ratio
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 卷号: 507, 页码: 196-199
作者:
Chen, Jing Jing
;
Su, Xu Jun
;
Huang, Jun
;
Niu, Mu Tong
;
Xu, Ke
Adobe PDF(3893Kb)
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浏览/下载:484/1
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提交时间:2018/12/17
Substrate polarity
Morphology
Growth mode
Dislocations
Crystalline quality
Nanotubes
Exploring the optimum growth conditions for InAs/GaSb and GaAs/GaSb superlattices on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 502, 页码: 71-75
作者:
Li, Xin
;
Zhao, Yu
;
Wu, Qihua
;
Teng, Yan
;
Hao, Xiujun
Adobe PDF(1661Kb)
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浏览/下载:402/1
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提交时间:2018/10/09
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Metalorganic chemical vapor deposition
Superlattices
Antimonides
Infrared devices
Growth, thermal and spectral properties of Er3+/Yb3+: Lu0.5Gd0.5VO4 mixed crystal
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 500, 页码: 63-67
作者:
Ji, Nianjing
;
Chen, Yang
;
Li, Ziqing
;
Wang, Jiyang
;
Duan, Xiulan
Adobe PDF(961Kb)
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浏览/下载:620/0
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提交时间:2018/09/09
Doping
Thermal and spectral properties
Czochralski method
Vanadates
Top-seeded solution growth and morphology change of RbTiOPO4:Ta single crystal
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 487, 页码: 87-91
作者:
Li, Ziqing
;
Chen, Yang
;
Zhu, Pengfei
;
Ji, Nianjing
;
Duan, Xiulan
Adobe PDF(1381Kb)
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浏览/下载:650/0
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提交时间:2018/04/11
Doping
Single crystal growth
Crystal morphology
Surface structure
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