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1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
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Ion Beam Etching Enabled Recessed-Gate E-mode GaN MOS-HEMT with FOM of 701 MW·cm-2 and Monolithic Integrated Digital Circuit 会议论文
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan,Korea, 2024.10.13-2024.10.17
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yitai Zhu;  Wenbo Ye;  Xinbo Zou
Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：292/12  |  提交时间：2024/09/27
Temperature-Dependent Electrical and Trap Properties of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes w/o homoepitaxial layer 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS (APWS)
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Du, Haitao;  Gao, Han;  Lu, Xing
收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2024/12/01
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