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信息科学与技术学院 [3]
作者
张笑铭 [2]
汪辉 [1]
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2022 [3]
出处
2022 CHINA... [3]
语种
英语 [3]
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收录类别
EI [3]
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Improve the On-Resistance for 80V NLDMOS with STI Technology in 0.18 UM BCD Process
会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:
Xiaoming Zhang
;
Donghua Liu
;
Haiyang Ling
;
Wensheng Qian
Adobe PDF(3354Kb)
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浏览/下载:220/0
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提交时间:2022/09/30
BCD process
Condition
High frequency HF
High-voltages
Low currents
On-resistance
Power applications
Save energy
SIMPLE method
Specific-on-resistance
Silicon Phosphorus Process Uniformity Improvement Study in Advanced Node
会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:
Huojin Tu
;
Hui Wang
;
Li Peng
;
Jiaqi Hong
;
Wangxin Nie
Adobe PDF(3557Kb)
|
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浏览/下载:270/0
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提交时间:2022/09/30
Gases
MOSFET devices
Phosphorus
Si-Ge alloys
Silicon compounds
Silicon wafers
Carrier gas
CMOS devices
Global uniformity
Performance
Process uniformity
Scaling down
Silicon phosphorus
Source and drains
Source region
Wafer uniformity
Study of the Degradation in LDMOS with STI Technology and Improve the Reliability with Several Methods
会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:
Xiaoming Zhang
;
Donghua Liu
;
Wensheng Qian
Adobe PDF(2459Kb)
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收藏
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浏览/下载:285/0
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提交时间:2022/09/30
Electronic design automation
Integrated circuits
MOS devices
Degradation model
Drain voltage
Electronic simulation
Gate drain
Gate voltages
Hot carrier stress
Lateral double diffused mos (LDMOS)
Mechanism of degradation
Technology nodes
Voltage stress
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