中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Modeling of Hot Carrier Injection on Gate-Induced Drain Leakage in PDSOI nMOSFET 会议论文
2021 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUITS, TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, ICTA 2021, Zhuhai, China, November 24, 2021 - November 26, 2021
作者:  Qian, Yijun;  Gao, Yuan;  Shukla, Amit Kumar;  Wu, Tao;  Wei, Xing
Adobe PDF(2430Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：391/1  |  提交时间：2022/07/01
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页