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物质科学与技术学院 [6]
信息科学与技术学院 [4]
作者
俞跃辉 [2]
张钊锋 [1]
陈邦明 [1]
吴涛 [1]
李静杰 [1]
陈峥涛 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [9]
发表日期
2023 [1]
2022 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2017 [3]
2016 [1]
更多...
出处
半导体技术 [9]
语种
中文 [9]
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资助机构
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北大核心 [9]
CSCD [6]
EI [1]
状态
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响
期刊论文
半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 25-30
作者:
孙紫涵
;
李明
;
高金德
;
吴涛
Adobe PDF(1937Kb)
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浏览/下载:734/2
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提交时间:2023/05/04
透射电子显微镜(TEM)
制样
失效分析
聚焦离子束(FIB)
热损伤
电子束辅助沉积
保护层
利用探测器光电响应的带尾温变特性研究GaN/AlGaN界面极化电荷
期刊论文
半导体技术, 2022
作者:
王雅娴
Adobe PDF(873Kb)
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浏览/下载:305/0
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提交时间:2022/08/29
AlGaN
日盲
温变
带尾响应
极化效应
带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路
期刊论文
半导体技术, 2019, 卷号: 44, 期号: 01, 页码: 65-72
作者:
徐超
;
吴灯鹏
;
徐大伟
;
朱弘月
;
俞跃辉
Adobe PDF(3454Kb)
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浏览/下载:211/0
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提交时间:2022/12/14
固定延迟时间
去饱和(DESAT)过流保护
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
安全性
集成度
p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀
期刊论文
半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 06, 页码: 449-455
作者:
钱茹
;
程新红
;
郑理
;
沈玲燕
;
张栋梁
Adobe PDF(1926Kb)
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浏览/下载:543/0
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提交时间:2022/12/14
GaN
选择性刻蚀
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
AlGaN/GaN HEMT
刻蚀形貌
退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响
期刊论文
半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 08, 页码: 598-602+630
作者:
李静杰
;
程新红
;
王谦
;
俞跃辉
Adobe PDF(1969Kb)
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浏览/下载:189/1
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提交时间:2022/12/14
4H-SiC
退火处理
肖特基势垒高度(SBH)
理想因子
不均匀性
下截止频率1.3~244 Hz可调带通VGA设计
期刊论文
半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 421-425
作者:
陈峥涛
;
张钊锋
;
梅年松
;
魏哨静
Adobe PDF(1690Kb)
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收藏
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浏览/下载:223/0
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提交时间:2022/12/14
可变增益放大器(VGA)
运算跨导放大器(OTA)
下截止频率可调节
伪电阻
共模反馈
0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证
期刊论文
半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 469-474
作者:
卢仕龙
;
刘汝萍
;
林敏
;
俞跃辉
;
董业民
Adobe PDF(1190Kb)
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浏览/下载:475/0
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提交时间:2022/12/14
绝缘体上硅(SOI)
标准单元库
测试芯片
总剂量辐射
现场可编程门阵列(FPGA)
一种快速转换的过温保护电路
期刊论文
半导体技术, 2016, 卷号: 41, 期号: 01, 页码: 22-26
作者:
张专
;
程新红
;
俞跃辉
;
王坤
Adobe PDF(1271Kb)
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浏览/下载:166/0
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提交时间:2022/12/14
过温保护
温度滞回
热振荡
热转换速度
汽车电子
操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响
期刊论文
半导体技术, 2015, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 944-949
作者:
霍如如
;
蔡道林
;
陈一峰
;
王玉婵
;
王月青
Adobe PDF(1698Kb)
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浏览/下载:296/0
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提交时间:2022/12/14
相变存储器
疲劳特性
电阻漂移
操作电流
器件失效
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