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Li, Yaoyao
合作成果数:2
Pan, Wenwu
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Shao, Jun
合作成果数:2
Wang, Shumin
合作成果数:2
Wu, Xiaoyan
合作成果数:2
合作作者
Li, Yaoyao
合作成果数:2
Pan, Wenwu
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Shao, Jun
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Wang, Shumin
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合作成果数:1
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合作成果数:1
Wang, Peng
合作成果数:1
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合作成果数:1
潘文武
合作成果数:1
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1.
Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells gr..
[648]
2.
Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-I..
[443]
3.
MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响
[317]
4.
中红外半导体材料的大跨越
[178]
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1.
MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响
[1]
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[1]
张凡,潘文武,王利娟,等. MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响[J]. 四川师范大学学报(自然科学版),2018,41(5):662-667.
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[2]
Pan, Wenwu.,Zhang, Liyao.,Zhu, Liang.,Song, Yuxin.,Li, Yaoyao.,...&Wang, Shumin.(2017).Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy.
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
,32(1).
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[3]
Pan, Wenwu.,Zhang, Liyao.,Zhu, Liang.,Li, Yaoyao.,Chen, Xiren.,...&Wang, Shumin.(2016).Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
,120(10).
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; 被引[WOS]:
12
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2.7
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[4]
王庶民,张立瑶,张凡. 中红外半导体材料的大跨越[J]. 科技纵览,2015,0(9):72-73.
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