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  • 俞跃辉

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  • Cheng, Xinhong

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  • Li, Xinchang

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  • Shen, DaShen

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  • Shen, Lingyan

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1. Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma.. [721]
2. 退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响 [178]

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1. Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma.. [3]
2. 退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响 [1]