盖革模式InGaAs/InP单光子探测器阵列的低盲时间读出电路
2025-05
发表期刊半导体光电
ISSN1001-5868
卷号2025年46卷
发表状态正式接收
摘要

基于0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款8×8阵列结构的框架式读出集成电路(ROIC),适用于盖革模式InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列。该电路具有100 μm的像素中心距,集成了电容式主动淬灭电路和14位时间数字转换器(TDC),可实现4 μs的帧周期长度和1 ns的时间分辨率。通过引入像素SRAM阵列和双模式触发器阵列,该设计实现了多路激光回波时序的同步捕获能力。采用16通道并行输出架构,在125 MHz读出时钟频率下,系统仅需1.34 μs即可完成数据读出。高达75%的有效探测时间占比,表明该结构在准连续盖革模式探测领域具有显著优势,能够实现全时域范围内近乎零盲区的光子检测。

关键词激光雷达 盖革模式APD 3D 成像 时间数字转换器 多回波探测
收录类别EI ; 北大核心 ; 中国科技核心期刊
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/527181
专题信息科学与技术学院_硕士生
信息科学与技术学院_特聘教授组_龚海梅组
生命科学与技术学院_博士生
作者单位
1.中国科学院上海技术物理研究所
2.上海科技大学信息学院
3.山东大学信息科学与工程学院
第一作者单位上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王之傲,马英杰,刘俊良,等. 盖革模式InGaAs/InP单光子探测器阵列的低盲时间读出电路[J]. 半导体光电,2025,2025年46卷.
APA 王之傲,马英杰,刘俊良,黄松垒,李雪,&龚海梅.(2025).盖革模式InGaAs/InP单光子探测器阵列的低盲时间读出电路.半导体光电,2025年46卷.
MLA 王之傲,et al."盖革模式InGaAs/InP单光子探测器阵列的低盲时间读出电路".半导体光电 2025年46卷(2025).
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