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Investigation of interface and bulk traps in ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
2024
会议录名称2024 THE 18TH NATIONAL CONFERENCE ON MOCVD (MOCVD)
发表状态已发表
会议名称2024 The 18th National Conference on MOCVD (MOCVD)
文献类型会议论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/449617
专题信息科学与技术学院_博士生
信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组
信息科学与技术学院_硕士生
共同第一作者Chen, Jiaxiang
通讯作者Zou, Xinbo
作者单位
1.ShanghaiTech University
2.Sun Yat-sen University
第一作者单位上海科技大学
通讯作者单位上海科技大学
第一作者的第一单位上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
Qu, Haolan,Chen, Jiaxiang,Sui, Jin,et al. Investigation of interface and bulk traps in ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors[C],2024.
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