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专题:徐科组
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Influence of sapphire substrate miscut on the surface morphology and microstructure of AlN films grown by HVPE
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 592
作者:
Di Li, Di
;
Su, Xu Jun
;
Chen, Jing Jing
;
Wang, Lu Hua
;
Huang, Jun
Adobe PDF(6762Kb)
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浏览/下载:214/0
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提交时间:2022/06/10
Aluminum nitride
Chlorine compounds
Flow of gases
Hydrides
III-V semiconductors
Microstructure
Morphology
Sapphire
Substrates
Surface morphology
Vapor phase epitaxy
Wide band gap semiconductors
A1.
A3.
B1.
B2.
Crystal morphologies
Growth models
Hydride vapor phase epitaxy
Semiconducting III-V materials
Semiconducting III/V-materials
Atomic-resolved structural and electric field analysis of the passivation interface of MIS-HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2022, 卷号: 12, 期号: 4
作者:
Zhang, Jiahui
;
Su, Xujun
;
Cai, Yutao
;
Li, Didi
;
Wang, Luhua
Adobe PDF(10744Kb)
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浏览/下载:243/0
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提交时间:2022/05/07
Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: #VALUE!
作者:
Li, Di-Di
;
Chen, Jing-Jing
;
Su, Xu-Jun
;
Huang, Jun
;
Niu, Mu-Tong
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浏览/下载:176/4
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提交时间:2021/04/01
hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
AlN
threading dislocation (TD)
sputter-deposition
HVPE growth of bulk GaN with high conductivity for vertical devices
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 1
作者:
Xia, Songyuan
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Jianfeng
;
Chen, Jihu
;
Xu, Ke
Adobe PDF(1211Kb)
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提交时间:2020/12/23
gallium nitride
Si doping
vertical devices
Influence comparison of N(2)and NH(3)nitrogen sources on AlN films grown by halide vapor phase epitaxy*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 7
作者:
Chen, Jing-Jing
;
Huang, Jun
;
Su, Xu-Jun
;
Niu, Mu-Tong
;
Xu, Ke
Adobe PDF(2588Kb)
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浏览/下载:252/4
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提交时间:2020/05/19
aluminum nitride
halide vapor phase epitaxy
surface structure
nitrogen source
High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:
Liu, Zirui
;
Wang, Jianfeng
;
Gu, Hong
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Weifan
Adobe PDF(4048Kb)
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浏览/下载:324/6
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提交时间:2019/07/26
Effects of 6H-SiC substrate polarity on the morphology and microstructure of AlN films by HVPE with varied V/III ratio
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 卷号: 507, 页码: 196-199
作者:
Chen, Jing Jing
;
Su, Xu Jun
;
Huang, Jun
;
Niu, Mu Tong
;
Xu, Ke
Adobe PDF(3893Kb)
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提交时间:2018/12/17
Substrate polarity
Morphology
Growth mode
Dislocations
Crystalline quality
Nanotubes