×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [7]
作者
徐科 [7]
李迪迪 [3]
陈晶晶 [3]
刘子睿 [1]
夏嵩渊 [1]
张佳辉 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [7]
发表日期
2022 [2]
2021 [2]
2020 [1]
2019 [2]
出处
AIP ADVANC... [2]
CHINESE PH... [2]
JOURNAL OF... [2]
SEMICONDUC... [1]
语种
英语 [6]
资助项目
National K... [4]
2020 Key R... [1]
Jiangsu pr... [1]
Key Core T... [1]
Key Resear... [1]
National N... [1]
更多...
资助机构
收录类别
EI [7]
SCI [7]
SCIE [7]
×
知识图谱
KMS
>
物质科学与技术学院
>
特聘教授组
>
徐科组
反馈留言
徐科组
帮助
所有内容中
徐科组
浏览条目
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
专题:徐科组
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
Influence of sapphire substrate miscut on the surface morphology and microstructure of AlN films grown by HVPE
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 592
作者:
Di Li, Di
;
Su, Xu Jun
;
Chen, Jing Jing
;
Wang, Lu Hua
;
Huang, Jun
Adobe PDF(6762Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:224/0
  |  
提交时间:2022/06/10
Aluminum nitride
Chlorine compounds
Flow of gases
Hydrides
III-V semiconductors
Microstructure
Morphology
Sapphire
Substrates
Surface morphology
Vapor phase epitaxy
Wide band gap semiconductors
A1.
A3.
B1.
B2.
Crystal morphologies
Growth models
Hydride vapor phase epitaxy
Semiconducting III-V materials
Semiconducting III/V-materials
Atomic-resolved structural and electric field analysis of the passivation interface of MIS-HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2022, 卷号: 12, 期号: 4
作者:
Zhang, Jiahui
;
Su, Xujun
;
Cai, Yutao
;
Li, Didi
;
Wang, Luhua
Adobe PDF(10744Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:252/0
  |  
提交时间:2022/05/07
Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: #VALUE!
作者:
Li, Di-Di
;
Chen, Jing-Jing
;
Su, Xu-Jun
;
Huang, Jun
;
Niu, Mu-Tong
Adobe PDF(1160Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:182/4
  |  
提交时间:2021/04/01
hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
AlN
threading dislocation (TD)
sputter-deposition
HVPE growth of bulk GaN with high conductivity for vertical devices
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 1
作者:
Xia, Songyuan
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Jianfeng
;
Chen, Jihu
;
Xu, Ke
Adobe PDF(1211Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:327/4
  |  
提交时间:2020/12/23
gallium nitride
Si doping
vertical devices
Influence comparison of N(2)and NH(3)nitrogen sources on AlN films grown by halide vapor phase epitaxy*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 7
作者:
Chen, Jing-Jing
;
Huang, Jun
;
Su, Xu-Jun
;
Niu, Mu-Tong
;
Xu, Ke
Adobe PDF(2588Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:258/4
  |  
提交时间:2020/05/19
aluminum nitride
halide vapor phase epitaxy
surface structure
nitrogen source
High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:
Liu, Zirui
;
Wang, Jianfeng
;
Gu, Hong
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Weifan
Adobe PDF(4048Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:332/6
  |  
提交时间:2019/07/26
Effects of 6H-SiC substrate polarity on the morphology and microstructure of AlN films by HVPE with varied V/III ratio
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 卷号: 507, 页码: 196-199
作者:
Chen, Jing Jing
;
Su, Xu Jun
;
Huang, Jun
;
Niu, Mu Tong
;
Xu, Ke
Adobe PDF(3893Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:338/1
  |  
提交时间:2018/12/17
Substrate polarity
Morphology
Growth mode
Dislocations
Crystalline quality
Nanotubes