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徐科组 帮助

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Unintentional Fe incorporation in the homo-epitaxy of GaN on Fe-doped freestanding GaN substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2025, 卷号: 18, 期号: 3
作者:  Xia Songyuan(夏嵩渊);  Zhang Yumin(张育民);  Sun Yuanhang(孙远航);  Zhu Qizhi(朱启志);  Liu Wei(刘伟)
Adobe PDF(985Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2025/03/12
Ta-based Au-free and low annealing temperature ohmic contacts on GaN and AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2025, 卷号: 391
作者:  Xia Songyuan(夏嵩渊);  Zhang Yumin(张育民);  Sun Yuanhang(孙远航);  Zhu Qizhi(朱启志);  Liu Wei(刘伟)
Adobe PDF(869Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2025/03/28
Fe掺杂GaN晶体低温光致发光谱的偏振及温度依赖性 期刊论文
人工晶体学报, 2025
作者:  肖捷翔;  杨超普;  王建峰;  张育民;  易觉民
Adobe PDF(1944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2025/05/17
Influence of sapphire substrate miscut on the surface morphology and microstructure of AlN films grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 592
作者:  Di Li, Di;  Su, Xu Jun;  Chen, Jing Jing;  Wang, Lu Hua;  Huang, Jun
Adobe PDF(6762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：324/0  |  提交时间：2022/06/10
Atomic-resolved structural and electric field analysis of the passivation interface of MIS-HEMTs 期刊论文
AIP ADVANCES, 2022, 卷号: 12, 期号: 4
作者:  Zhang, Jiahui;  Su, Xujun;  Cai, Yutao;  Li, Didi;  Wang, Luhua
Adobe PDF(10744Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：335/0  |  提交时间：2022/05/07
Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: #VALUE!
作者:  Li, Di-Di
Adobe PDF(1160Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：272/4  |  提交时间：2021/04/01
HVPE growth of bulk GaN with high conductivity for vertical devices 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 1
作者:  Xia, Songyuan;  Zhang, Yumin;  Wang, Jianfeng;  Chen, Jihu;  Xu, Ke
Adobe PDF(1211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：425/6  |  提交时间：2020/12/23
Influence comparison of N(2)and NH(3)nitrogen sources on AlN films grown by halide vapor phase epitaxy* 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 7
作者:  Chen, Jing-Jing;  Huang, Jun;  Su, Xu-Jun;  Niu, Mu-Tong;  Xu, Ke
Adobe PDF(2588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：357/4  |  提交时间：2020/05/19
High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment 期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:  Liu, Zirui;  Wang, Jianfeng;  Gu, Hong;  Zhang, Yumin;  Wang, Weifan
Adobe PDF(4048Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：450/6  |  提交时间：2019/07/26
Effects of 6H-SiC substrate polarity on the morphology and microstructure of AlN films by HVPE with varied V/III ratio 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019, 卷号: 507, 页码: 196-199
作者:  Chen, Jing Jing;  Su, Xu Jun;  Huang, Jun;  Niu, Mu Tong;  Xu, Ke
Adobe PDF(3893Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：466/1  |  提交时间：2018/12/17
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