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| 退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响 | |
| 2017-08-03 | |
| 发表期刊 | 半导体技术 |
| ISSN | 1003-353X |
| 卷号 | 42期号:08页码:598-602+630 |
| 发表状态 | 已发表 |
| DOI | 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.08.007 |
| 摘要 | 采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-SiC肖特基势垒高度最大,在J-V测试和C-V测试中分别达到0.933 e V和1.447 e V,且获得理想因子最小值为1.053,反向泄漏电流密度也实现了最小值1.97×10~(-8)A/cm~2,击穿电压达到最大值660 V。对退火温度为500℃的Au/Ti/4H-SiC样品进行J-V变温测试。测试结果表明,随着测试温度的升高,肖特基势垒高度不断升高而理想因子不断减小,说明肖特基接触界面仍然存在缺陷或者横向不均匀性,高温下的测试进一步证明肖特基接触界面还有很大的改善空间。 |
| 关键词 | 4H-SiC 退火处理 肖特基势垒高度(SBH) 理想因子 不均匀性 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; 北大核心 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 中图分类号 | TN305 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255581 |
| 专题 | 物质科学与技术学院 物质科学与技术学院_硕士生 |
| 作者单位 | 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 2.上海科技大学物质科学与技术学院; 3.中国科学院大学 |
| 第一作者单位 | 物质科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李静杰,程新红,王谦,等. 退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响[J]. 半导体技术,2017,42(08):598-602+630. |
| APA | 李静杰,程新红,王谦,&俞跃辉.(2017).退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响.半导体技术,42(08),598-602+630. |
| MLA | 李静杰,et al."退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触特性的影响".半导体技术 42.08(2017):598-602+630. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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