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| 一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法 | |
| 申请号 | CN202210309182.5 |
| 2022-07-29 | |
| 公开（公告）号 | CN114823947A |
| 公开日期 | 2022-07-29 |
| 摘要 | 本发明提供一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法。本发明采用AlAsSb和InAlAs或者InP做电子阻挡层和过渡层可以将光电探测器的测试波长延伸至可见光和紫外波段，采用InGaAs体材料和InGaAs//GaAsSb二类超晶格材料作为半导体光电探测器的吸收层，可将光电探测器的测试波长延伸至近红外和延长短波红外波段。当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于延长短波红外波长的光子对应的能量时，就能吸收延长短波红外波长的光，从而实现对延长短波红外波段的覆盖。该光电探测器采用晶格匹配于InP衬底的InGaAs//GaAsSb二类超晶格作为吸收区，相对于高铟成分晶格失配InGaAs延长短波红外探测器，具有更低暗电流，单片集成的优势。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 翁若莹 ; 柏子雵 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | H01L31//0352; H01L31//0304; H01L31//0336; H01L31//109; H01L31//18 |
| 专利有效性 | 有效 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 授权 |
| 授权公告日 | 2025-02-18 |
| 授权公开（公告）号 | CN114823947B |
| 简单同族 | CN114823947A |
| 扩展同族 | CN114823947A |
| INPADOC 同族 | CN114823947A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/206376 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_PI研究组_陈佰乐组 信息科学与技术学院_博士生 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈佰乐,王景熠. 一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法. CN202210309182.5[P]. 2022-07-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方（586KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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