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| Channel Properties of Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs | |
| 2021-01 | |
| 发表期刊 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (IF:2.9[JCR-2023],2.9[5-Year]) |
| ISSN | 0018-9383 |
| 发表状态 | 已发表 |
| DOI | 10.1109/TED.2021.3051135 |
| 引用统计 | 正在获取...
|
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/183541 |
| 专题 | 物质科学与技术学院_博士生 |
| 共同第一作者 | Haodong Hu |
| 通讯作者 | Genquan Han; Xin Ou |
| 作者单位 | 1.State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China 2.State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China 3.Collaborative Research Center, Meisei University, Hino, Japan |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yibo Wang,Wenhui Xu,Genquan Han,et al. Channel Properties of Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2021. |
| APA | Yibo Wang.,Wenhui Xu.,Genquan Han.,Tiangui You.,Fengwen Mu.,...&Haoyue.(2021).Channel Properties of Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. |
| MLA | Yibo Wang,et al."Channel Properties of Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2021). |
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