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	Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 599 作者: Lin, Si-Wei; Yan, Jin-Yi; Zhao, Xu-Yi; Yu, Wen-Fu; Gong, Qian Adobe PDF(1863Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：298/0 \| 提交时间：2022/11/08 A1. Characterization A1. X-ray diffraction A3. Molecular beam epitaxy B2. Semiconducting III-V materials
	无权访问的条目学位论文作者: 林思维 Adobe PDF(2720Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：82/0 \| 提交时间：2023/04/24

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