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Neutron Irradiation Induced Carrier Removal and Deep-Level Traps in N-Gan Schottky Barrier Diodes 会议论文
CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC 2023), Shanghai, China, 26-27 June 2023
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Ruohan Zhang;  Min Zhu
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：338/1  |  提交时间：2023/09/23
无权访问的条目 学位论文
作者:  朱敏
Adobe PDF(3426Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：87/1  |  提交时间：2023/04/24
Temperature-dependent electrical characteristics of neutron-irradiated GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 125
作者:  Zhu M(朱敏);  Ren Yuan;  Zhou Leidang;  Chen Jiaxiang;  Guo Haowen
Adobe PDF(2369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：379/11  |  提交时间：2021/09/24
A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码: 159214
作者:  Zhang, Yu;  Liu, Chao;  Zhu, Min;  Zhang, Yuliang;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(36302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：328/0  |  提交时间：2021/12/03
Single-trap emission kinetics of vertical β-Ga2O3 Schottky diodes by deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 055015
作者:  Chen, Jiaxiang;  Luo, Haoxun;  Qu, HaoLan;  Zhu, Min;  Guo, Haowen
Adobe PDF(1827Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：514/3  |  提交时间：2021/05/26
Temperature-Dependent Electrical Characterizations of Neutron-Irradiated GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021
作者:  Zhu Min;  Ren Yuan;  Zhou Leidang;  Chen Jiaxiang;  Guo Haowen
Adobe PDF(2369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：360/1  |  提交时间：2023/03/29
Forward Conduction Instability of Quasi-Vertical GaN p-i-n Diodes on Si Substrates 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码: 3992-3998
作者:  Yuliang Zhang;  Xu Zhang;  Min Zhu;  Jiaxiang Chen;  Chak Wah Tang
Adobe PDF(2117Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：343/0  |  提交时间：2020/11/02
Electrical characterization of GaN Schottky barrier diode at cryogenic temperatures 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 6
作者:  Chen, Jiaxiang;  Zhu, Min;  Lu, Xing;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(2434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：335/1  |  提交时间：2020/05/24
一种双异质结单极性晶体管的器件结构 专利
申请号:CN201910666385.8，申请日期: 2019-07-23，类型:发明申请，状态:驳回
发明人:  朱敏;  邹新波;  杨杨
Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/0  |  提交时间：2021/06/20
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