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| Neutron Irradiation Induced Carrier Removal and Deep-Level Traps in N-Gan Schottky Barrier Diodes 会议论文
CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC 2023), Shanghai, China, 26-27 June 2023
作者:
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| 无权访问的条目 学位论文
作者:
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| Temperature-dependent electrical characteristics of neutron-irradiated GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 125
作者:
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| A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码:
159214
作者: Zhang, Yu
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| Single-trap emission kinetics of vertical β-Ga2O3 Schottky diodes by deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 5, 页码:
055015
作者: Chen, Jiaxiang; Luo, Haoxun
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| Temperature-Dependent Electrical Characterizations of Neutron-Irradiated GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021
作者: Zhu Min; Ren Yuan; Zhou Leidang; Chen Jiaxiang; Guo Haowen
Adobe PDF(2369Kb) | 收藏 | 浏览/下载：356/1 | 提交时间：2023/03/29 |
| Forward Conduction Instability of Quasi-Vertical GaN p-i-n Diodes on Si Substrates 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码:
3992-3998
作者: Yuliang Zhang; Xu Zhang; Min Zhu; Jiaxiang Chen; Chak Wah Tang
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| Electrical characterization of GaN Schottky barrier diode at cryogenic temperatures 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 6
作者:
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| 一种双异质结单极性晶体管的器件结构 专利
申请号:CN201910666385.8，申请日期: 2019-07-23，类型:发明申请，状态:驳回
发明人: 朱敏; 邹新波; 杨杨
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