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	HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法期刊论文红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 期号: 01, 页码: 54-59 作者: 翁彬; 周松敏; 王溪; 陈奕宇; 李浩 Adobe PDF(384Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：176/0 \| 提交时间：2022/12/14 HgCdTe 激光束诱导电流 I-V测试 B+离子注入干法刻蚀
	Characterization method of PN junction region expansion in HgCdTe device 期刊论文红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 54-59 作者: Weng Bin; Zhou Song-Min; Wang Xi; Chen Yi-Yu; Li Hao Adobe PDF(2335Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：413/2 \| 提交时间：2017/07/04 HgCdTe laser beam induced current I-V test Boron ion implantation dry etching

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