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1.142 mu m GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2017, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 1322-1326
作者:  
Adobe PDF(1221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：601/1  |  提交时间：2017/08/26
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