中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Design of InP-Based High-Speed Photodiode for 2-mu m Wavelength Application 期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 卷号: 55, 期号: 1
作者:  Yaojiang Chen;  Baile Chen
Adobe PDF(2072Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：607/6  |  提交时间：2019/01/21
Active Region Design and Gain Characteristics of InP-Based Dilute Bismide Type-II Quantum Wells for Mid-IR Lasers 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 4, 页码: 1606-1611
作者:  Chen, Baile
Adobe PDF(964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：518/1  |  提交时间：2017/07/04
Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 1
作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Song, Yuxin;  Li, Yaoyao
Adobe PDF(1009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：718/0  |  提交时间：2017/07/04
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页