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Small $\textit{V}_{\text{th}}$ Shift and Low Dynamic $\textit{R}_{\textsc{on}}$ in GaN MOSHEMT With ZrO $_{\text{2}}$ Gate Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 5590-5595
作者:
Yu Zhang
;
Yitian Gu
;
Jiaxiang Chen
;
Yitai Zhu
;
Baile Chen
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浏览/下载:192/1
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提交时间:2023/10/07
Dynamic ON-resistance ( $\textit{R}_{\biosc{on}}$ )
GaN
metal–oxide–semiconductor high-electron mobility transistor (MOSHEMT)
threshold voltage ( $\textit{V}_{\text{th}}$ ) instability
ZrOTEXPRESERVE13 dielectric
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