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Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 657-660
作者:  Qiang Liu;  Zhiqiang Mu;  Chenhe Liu;  Lantian Zhao;  Lingli Chen
Adobe PDF(5336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：320/0  |  提交时间：2021/05/28
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