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Proton Shuttle-Assisted Surface Reconstruction toward Nonpolar Facets-Terminated Zinc-Blende CdSe/CdS Core/Shell Quantum Dots
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2023, 卷号: 145, 期号: 48, 页码: 26287-26295
作者:
Zhou, Xiaolan
;
Pu, Chaodan
Adobe PDF(6148Kb)
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浏览/下载:347/5
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提交时间:2023/12/22
Absorption spectroscopy
Cadmium compounds
Carboxylation
High resolution transmission electron microscopy
II-VI semiconductors
Morphology
Semiconductor quantum dots
Zinc
Zinc sulfide
CdSe/CdS (core-shell) quantum dots
Growth process
Molecular mechanism
Morphology transformations
Non-polar
Novel morphologies
Proton shuttle
Surface atoms
Surfaces reconstruction
Zinc-blende CdSe
Surface-Energy-Regulated Growth of α-Phase Cs0.03FA0.97PbI3 for Highly Efficient and Stable Inverted Perovskite Solar Cells
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2023, 卷号: 35, 期号: 15
作者:
Pan, Ting
;
Zhou, Wei
;
Wei, Qi
;
Peng, Zijian
;
Wang, Hao
Adobe PDF(3287Kb)
|
收藏
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浏览/下载:589/6
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提交时间:2023/03/17
Binding energy
Crystal growth
Interfacial energy
Metal halides
Perovskite
Semiconductor doping
Halide perovskites
High quality
High surface energy
High-quality films
Inverted perovskite solar cell
Ion-doping
Metal halide perovskite
Perovskite structures
Steric hindrances
Synthesised
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
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浏览/下载:253/0
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提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
Temperature and Optical Feedback Sensitivity of the Relative Intensity Noise of Epitaxial Quantum Dot Lasers on Ge
会议论文
2018 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM, CLEO-PR 2018, No. 1 Expo Drive, Wanchai, Hong kong, July 29, 2018 - August 3, 2018
作者:
Yue-Guang Zhou
;
Chun-Fang Cao
;
Jin-Yi Yan
;
Qian Gong
;
Cheng Wang
Adobe PDF(645Kb)
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浏览/下载:192/0
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提交时间:2022/12/09
Germanium compounds
Nanocrystals
Semiconductor quantum dots
III-V semiconductors
Indium arsenide
Feedback sensitivity
InAs quantum dots
Relative intensity noise
Laser feedback
Quantum dot lasers
Pump lasers
Optical feedback
Epitaxial growth
Laser excitation
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