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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [2]
作者
邹新波 [2]
张玉良 [2]
张羽 [1]
朱敏 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2019 [1]
出处
ELECTRONIC... [1]
JOURNAL OF... [1]
语种
英语 [2]
资助项目
Shanghai P... [1]
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SCI [2]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码: 159214
作者:
Zhang, Yu
;
Liu, Chao
;
Zhu, Min
;
Zhang, Yuliang
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(36302Kb)
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浏览/下载：343/0
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提交时间：2021/12/03
Energy gap
III
V semiconductors
Light emitting diodes
Schottky barrier diodes
Silicon
Substrates
Barrier diodes
Design technologies
Device design
Lightemitting diode
Optoelectronic applications
PiN diode
Power conversion
Schottky barriers
Si substrates
Two
terminal devices
GaN
Two-terminal devices
SBDs
p-i-n diodes
LEDs
Device Design Assessment of GaN Merged P-i-N Schottky Diodes
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12
作者:
Zhang, Yuliang
;
Lu, Xing
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(2742Kb)
|
收藏
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浏览/下载：342/0
|
提交时间：2020/02/21
GaN
P-i-N diodes
Schottky diodes
blocking voltage
forward characteristics
merged P-i-N Schottky diodes
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