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Neutral Beam Etching Enabled Recessed-Gate Emode GaN MOSHEMT: A Multi-Vth Power Device Platform for All-GaN Monolithic Integration
会议论文
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yudong Li
;
Xuanling Zhou
;
Haodong Jiang
Adobe PDF(1101Kb)
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浏览/下载：61/3
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提交时间：2025/03/03
E-mode, neutral beam etching, recessed-gate, reverse conduction, logic gates, inverter, NAND, NOR, multivalue logic.
Ion Beam Etching Enabled Recessed-Gate E-mode GaN MOS-HEMT with FOM of 701 MW·cm-2 and Monolithic Integrated Digital Circuit
会议论文
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan,Korea, 2024.10.13-2024.10.17
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yitai Zhu
;
Wenbo Ye
;
Xinbo Zou
Adobe PDF(422Kb)
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收藏
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浏览/下载：292/12
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提交时间：2024/09/27
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