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物质科学与技术学院 [2]
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作者
江怀东 [1]
郝修军 [1]
张恩赐 [1]
蒋亦岚 [1]
王悦然 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [1]
2020 [1]
出处
CERAMICS I... [1]
ELECTRONIC... [1]
语种
英语 [2]
资助项目
National N... [1]
Natural Sc... [1]
Strategic ... [1]
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Quantitative analysis of element substitution in mixed-vanadate LuxGd1-xVO4 single crystals at the atomic scale
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2024, 卷号: 50, 期号: 13, 页码: 24888-24893
作者:
Wang, Yueran
;
Zhang, Enci
;
Chen, Yang
;
Ji, Nianjing
;
Jiang, Yilan
Adobe PDF(4962Kb)
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收藏
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浏览/下载：311/2
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提交时间：2024/05/11
Chemical stability
Crystal atomic structure
Crystal orientation
Dissociation
Electron energy levels
Electron scattering
Electronic structure
Energy dispersive spectroscopy
Energy dissipation
Gadolinium
Gadolinium compounds
Rare earths
Semiconductor doping
Single crystals
Spectrum analysis
Thermal conductivity
Atomic levels
Atomic scale
Atomic-level doping in crystalline material
Electron energy-loss spectroscopies
Electron energy-loss spectroscopy
Energy dispersive X ray spectroscopy
Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS)
High-angle annular dark field
High-angle annular dark fields
Mixed crystals
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
|
收藏
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浏览/下载：254/0
|
提交时间：2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
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