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A noise-tolerant, resource-saving probabilistic binary neural network implemented by the SOT-MRAM compute-in-memory system
预印本
2024
作者:
Gu, Yu
;
Huang, Puyang
;
Chen, Tianhao
;
Fu, Chenyi
;
Chen, Aitian
Adobe PDF(4358Kb)
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浏览/下载:383/2
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提交时间:2024/05/15
Probabilistic binary neuron network
random weight matrix
spin-orbit-torque
computing-in-memory
noise-tolerance
eCIMC: A 603.1-TOPS/W eDRAM-Based Cryogenic In-Memory Computing Accelerator Supporting Boolean/Convolutional Operations
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-13
作者:
Yuhao Shu
;
Hongtu Zhang
;
Qi Deng
;
Hao Sun
;
Zhaodong Lv
Adobe PDF(2636Kb)
|
收藏
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浏览/下载:308/2
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提交时间:2024/05/20
Cryo-CMOS
cryogenic computing
cryogenic process design kit (PDK)
embedded dynamic random access memory (eDRAM)
flash analog-to-digital converter (ADC)
in-memory computing (IMC)
WDVR-RAM: A 0.25-1.2 V, 2.6-76 POPS/W Charge-Domain In-Memory-Computing Binarized CNN Accelerator for Dynamic AIoT Workloads
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2023, 卷号: 70, 期号: 10, 页码: 3964-3977
作者:
Hongtu Zhang
;
Yuhao Shu
;
Qi Deng
;
Hao Sun
;
Wenfeng Zhao
Adobe PDF(3094Kb)
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收藏
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浏览/下载:273/0
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提交时间:2023/08/28
Binary neural network
in-memory computing
SRAM
wide dynamic voltage range
energy efficiency
dynamic workloads
AIoT
A Reliable and High-Speed 6T Compute-SRAM Design With Dual-Split-VDD Assist and Bitline Leakage Compensation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2023, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 684-695
作者:
Yuqi Wang
;
Shen Zhang
;
Yifei Li
;
Jian Chen
;
Wenfeng Zhao
Adobe PDF(16375Kb)
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收藏
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浏览/下载:473/1
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提交时间:2023/03/15
Voltage
Random access memory
Discharges (electric)
Transistors
Throughput
Reliability engineering
Very large scale integration
Compute SRAM (CSRAM)
computing-in-memory (CIM)
configurable SRAM
content-addressable memory (CAM)
logic operation
read disturbance
Analysis and Design of Reconfigurable Sense Amplifier for Compute SRAM With High-Speed Compute and Normal Read Access
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 12, 页码: 3503-3507
作者:
Jian Chen
;
Wenfeng Zhao
;
Yuqi Wang
;
Yajun Ha
Adobe PDF(1075Kb)
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收藏
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浏览/下载:459/0
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提交时间:2021/12/03
Sensors
Voltage
Delays
Topology
Random access memory
Discharges (electric)
Transistors
Sense amplifier
SRAM
in-memory computing
compute SRAM
Analysis and Optimization Strategies Toward Reliable and High-Speed 6T Compute SRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 1520-1531
作者:
Jian Chen
;
Wenfeng Zhao
;
Yuqi Wang
;
Yajun Ha
Adobe PDF(4271Kb)
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浏览/下载:743/15
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提交时间:2021/04/19
Random access memory
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