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信息科学与技术学院 [1]
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作者
陈佰乐 [1]
蒋洁安 [1]
姚璐 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2022 [1]
2021 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA ST... [1]
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Carrier localization effect in the photoluminescence of In composition engineered InAlAs random alloy
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249
作者:
Yu, Jiajun
;
Zhao, Yinan
;
Li, Siqi
;
Yao, Jinshan
;
Yao, Lu
Adobe PDF(1019Kb)
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浏览/下载:288/1
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提交时间:2022/06/17
Aluminum alloys
III-V semiconductors
Indium phosphide
Molecular beam epitaxy
Optoelectronic devices
Photoluminescence spectroscopy
Semiconducting indium phosphide
Temperature
Carrier localization effects
In composition engineering
In compositions
Inala random alloy
InP substrates
Localized state
Low temperature photoluminescence
Molecular-beam epitaxy
Random alloy
Spectral structure
Evidence of Carrier Localization in AlGaN/GaN-Based UV Multiple Quantum Wells with Opposite Polarity Domains Provided by Nanoscale Imaging
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 15, 期号: 6
作者:
Cui, Mei
;
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Chen, Li
Adobe PDF(5357Kb)
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提交时间:2021/04/09
carrier localization
nanoscale imaging
polarity control
UV emitters
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