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Schottky-type GaN-based UV photodetector with atomic-layer-deposited TiN thin film as electrodes
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2022, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 429-432
作者:
Su, Longxing
;
Zhao, Lianqi
;
Chen, Sheng-Yu
;
Deng, Yingdong
;
Pu, Ruihua
Adobe PDF(3721Kb)
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浏览/下载：273/1
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提交时间：2022/01/28
Chemical bonds
Crystal atomic structure
Gallium nitride
III-V semiconductors
Photodetectors
Photons
Tin
Titanium nitride
Transparent electrodes
Asymmetric electrodes
Atomic layer deposited
Atomic-layer deposition
Deposition cycles
Electrode structure
GaN based
Schottky
TiN layers
TiN thin films
UV photodetectors
Alloying induced disorder and localized excitonic states in ternary BexZn1-xO thin films
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874
作者:
Su, Longxing
;
Zhu, Yuan
;
An, Yuanyuan
;
Xie, Jin
Adobe PDF(5625Kb)
|
收藏
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浏览/下载：397/6
|
提交时间：2021/06/04
BexZn1-xO
Resonant Raman spectra
Localized exciton
Two-mode behavior
UV photodetector
Alloying
Blue shift
II
VI semiconductors
Photodetectors
Photons
Quality control
Raman scattering
Semiconductor doping
Ternary alloys
Zinc oxide
Bexzn1−xO
Excitonic state
VI ternary alloy
Localised
Optoelectronics devices
Resonant raman spectrum
Thin
films
Two
mode behavior
Ultra
violet photodetectors
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