×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
邹新波 [1]
张玉良 [1]
张羽 [1]
朱敏 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2021 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
资助机构
收录类别
EI [1]
SCI [1]
SCIE [1]
状态
已发表 [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条，第1-1条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码: 159214
作者:
Zhang, Yu
;
Liu, Chao
;
Zhu, Min
;
Zhang, Yuliang
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(36302Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：333/0
|
提交时间：2021/12/03
Energy gap
III
V semiconductors
Light emitting diodes
Schottky barrier diodes
Silicon
Substrates
Barrier diodes
Design technologies
Device design
Lightemitting diode
Optoelectronic applications
PiN diode
Power conversion
Schottky barriers
Si substrates
Two
terminal devices
GaN
Two-terminal devices
SBDs
p-i-n diodes
LEDs
首页
上一页
1
下一页
末页
