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Interfacial Resonance States-Induced Negative Tunneling Magneto-Resistance in Orthogonally Magnetized CoFeB/MgO/CoFeB
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2024, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 1-6
作者:
Puyang Huang
;
Aitian Chen
;
Jianting Dong
;
Di Wu
;
Xinqi Liu
Adobe PDF(1265Kb)
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提交时间:2023/09/24
First-principle calculation
interfacial resonant state
magnetic tunnel junction (MTJ)
negative tunneling magneto-resistance (TMR)
Cobalt compounds
Iron compounds
Magnesia
Magnetic anisotropy
MRAM devices
Tunnel junctions
Tunnelling magnetoresistance
First principle calculations
Interfacial resonant state
Magnetic tunneling
Magnetic tunneling junctions
Magnetic-field
Negative tunneling magneto-resistance
Perpendicular magnetic anisotropy
Resistance
Resonant state
Tunneling magnetoresistance
Spatially Resolved Polarization Manipulation of Ferroelectricity in Twisted hBN
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2022
作者:
Lv, Ming
;
Sun, Xinzuo
;
Chen, Yan
;
Taniguchi, Takashi
;
Watanabe, Kenji
Adobe PDF(3665Kb)
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收藏
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浏览/下载:490/1
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提交时间:2022/12/02
Boron nitride
Domain walls
Ferroelectric materials
Ferroelectricity
Hysteresis
Nitrides
Polarization
2d ferroelectric
Atomic layer
Ferroelectric system
Hexagonal boron nitride
Mechanical stress
Nano-meter-scale
Slidetronic
Spatially resolved
Tunnelling junctions
Twistronic
Visualizing Band Profiles of Gate-Tunable Junctions in MoS2/WSe2Heterostructure Transistors
期刊论文
ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 16314-16321
作者:
Sun, Xinzuo
;
Chen, Yan
;
Li, Zhiwei
;
Han, Yu
;
Zhou, Qin
Adobe PDF(3492Kb)
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收藏
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提交时间:2021/12/03
Charge transfer
Layered semiconductors
Molybdenum compounds
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Scanning
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Sulfur compounds
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van der Waals heterostructure
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scanning tunneling spectroscopy
band profiles
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