中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:  Zhu, Yitai;  Zhang, Yu;  Qu, Haolan;  Gao, Han;  Du, Haitao
Adobe PDF(4805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/3  |  提交时间：2024/06/11
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页