KMS

浏览/检索结果: 共1条,第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Enhanced linearity of AlGaN/GaN HEMTs via dual-gate configuration for RF amplifier applications 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2025, 卷号: 227
作者:  Guo, Haowen;  Ye, Wenbo;  Zhou, Junmin;  Gu, Yitian;  Gao, Han
Adobe PDF(4152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:39/1  |  提交时间:2025/05/12
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页