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信息科学与技术学院 [1]
物质科学与技术学院 [1]
作者
杨辉 [1]
张帆 [1]
任豪 [1]
曹海潮 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2023 [1]
2022 [1]
出处
APPLIED PH... [1]
JOURNAL OF... [1]
语种
英语 [2]
资助项目
National N... [1]
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Significant effect of thin oxide layer on characteristics of p-InGaN/GaN nonalloyed ohmic contacts
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 卷号: 134, 期号: 5
作者:
Fan Zhang
;
Rongxin Wang
;
Fangzhi Li
;
Aiqin Tian
;
Jianping Liu
Adobe PDF(3352Kb)
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浏览/下载：449/94
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提交时间：2023/08/18
Contact resistance
Electric contactors
Gallium compounds
III-V semiconductors
Metallorganic chemical vapor deposition
Oxygen
Room temperature
Schottky barrier diodes
X ray photoelectron spectroscopy
As-grown
Exposed to
High vacuum
InGaN/GaN
Metal-organic chemical vapour depositions
Multi-layers
Nonalloyed ohmic contact
p-InGaN
Specific contact resistances
Thin oxide layers
A 10-nm-thick silicon oxide based high switching speed conductive bridging random access memory with ultra-low operation voltage and ultra-low LRS resistance
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2022, 卷号: 120, 期号: 13
作者:
Cao, Haichao
;
Ren, Hao
Adobe PDF(2261Kb)
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浏览/下载：303/0
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提交时间：2022/04/22
Oxide films
Silicon compounds
Silicon oxides
Switching
Electrode layers
Low resistance
Low-resistance state
Operation voltage
Random access memory
Silicon oxide films
State resistance
Switching speed
Ultra-low-voltage
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