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物质科学与技术学院 [3]
生物医学工程学院 [1]
作者
杨永 [1]
Vovk Evgen... [1]
周晓红 [1]
郝修军 [1]
胡鹏 [1]
文献类型
期刊论文 [3]
发表日期
2023 [1]
2021 [1]
2020 [1]
出处
ACS CATALY... [1]
ELECTRONIC... [1]
NATURE CAT... [1]
语种
英语 [3]
资助项目
Natural Sc... [1]
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收录类别
EI [3]
SCIE [2]
SCI [1]
状态
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WOS被引频次降序
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Microkinetic Modeling with Size-Dependent and Adsorbate-Adsorbate Interactions for the Direct Synthesis of H2O2 over Pd Nanoparticles
期刊论文
ACS CATALYSIS, 2023, 卷号: 13, 期号: 22, 页码: 15054-15073
作者:
Zhao, Jinyan
;
Yao, Zihao
;
Bunting, Rhys J.
;
Hu, P.
;
Wang, Jianguo
Adobe PDF(14466Kb)
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收藏
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浏览/下载:261/1
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提交时间:2023/12/22
Nanoparticles
Oxidation
Palladium
Palladium compounds
Particle size
Particle size analysis
Synthesis (chemical)
Active center
Adsorbate-adsorbate interaction
DFT
Direct synthesis
Direct synthesis of hydrogen peroxide
Microkinetic modeling
Palladium based catalysts
Pd nanoparticles
Size dependent
Sizes effect
Bimetallic monolayer catalyst breaks the activity–selectivity trade-off on metal particle size for efficient chemoselective hydrogenations
期刊论文
NATURE CATALYSIS, 2021, 卷号: 4, 期号: 10, 页码: 840-849
作者:
Guan, Qiaoqiao
;
Zhu, Chuwei
;
Lin, Yue
;
Vovk, Evgeny I.
;
Zhou, Xiaohong
Adobe PDF(2465Kb)
|
收藏
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浏览/下载:349/1
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提交时间:2021/12/03
Catalyst activity
Catalyst selectivity
Economic and social effects
Electronic properties
Electronic structure
Geometry
Hydrogenation
Metal nanoparticles
Monolayers
Particle size
Bimetallics
Catalytic performance
Chemoselective hydrogenation
Electronic.structure
Geometric structure
Metal particle
Particles sizes
Size dependent
Trade off
]+ catalyst
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
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浏览/下载:260/0
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提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
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