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Compensation of Hot Carrier Degradation Enabled by Forward Back Bias in π-GAA-π MOSFET 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2023, 卷号: 11, 页码: 319-324
作者:  Yijun Qian
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Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1-1
作者:  Liu, Qiang;  Zhou, Hongyang;  Jia, Xin;  Yang, Yumeng;  Mu, Zhiqiang
Adobe PDF(2468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：276/0  |  提交时间：2022/11/04
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