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High-speed InAlAs digital alloy avalanche photodiode
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123, 期号: 19
作者:
Wang, Wenyang
;
Yao, Jinshan
;
Li, Linze
;
Ge, Huachen
;
Wang, Luyu
Adobe PDF(4267Kb)
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浏览/下载:242/0
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提交时间:2023/12/12
Aluminum alloys
Bandwidth
Grading
III-V semiconductors
Indium phosphide
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor alloys
1550 nm
Avalanche breakdown
Dark current densities
Digital alloys
Excess noise
Gain-bandwidth products
High Speed
InP substrates
Performance
Random alloy
Carrier localization effect in the photoluminescence of In composition engineered InAlAs random alloy
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249
作者:
Yu, Jiajun
;
Zhao, Yinan
;
Li, Siqi
;
Yao, Jinshan
;
Yao, Lu
Adobe PDF(1019Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:283/1
|
提交时间:2022/06/17
Aluminum alloys
III-V semiconductors
Indium phosphide
Molecular beam epitaxy
Optoelectronic devices
Photoluminescence spectroscopy
Semiconducting indium phosphide
Temperature
Carrier localization effects
In composition engineering
In compositions
Inala random alloy
InP substrates
Localized state
Low temperature photoluminescence
Molecular-beam epitaxy
Random alloy
Spectral structure
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