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WOS被引频次降序
A 28-nm 10.4-fJ/b Cryogenic embedded DRAM with 3T1C Gain Cell and MBIST at 4-Kelvin
会议论文
2024 21ST INTERNATIONAL SOC DESIGN CONFERENCE (ISOCC), Sapporo, Japan, 19-22 Aug. 2024
作者:
Jiapei Zheng
;
Xinkai Nie
;
Zhenghang Zhi
;
Zhidong Tang
;
Qi Liu
Adobe PDF(1260Kb)
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收藏
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浏览/下载:317/3
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提交时间:2024/12/04
Associative storage
CMOS integrated circuits
Cryoelectric storage
Dynamic random access storage
Integrated circuit testing
Photons
Quantum electronics
Quantum optics
Radiation hardening
Static random access storage
Cryogenic memory
EDRAM
Embedded DRAM
Gain cell
Large-scales
Low Power
Power
Quantum Computing
Quantum error corrections
Quantum state detection
Can Stochastic Computing Truly Tolerate Bit Flips?
会议论文
PROCEEDINGS OF THE ACM GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI, GLSVLSI, Clearwater, FL, United states, June 12, 2024 - June 14, 2024
作者:
Wang, Yutong
;
Ni, Zhaojun
;
Liu, Siting
Adobe PDF(1993Kb)
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收藏
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浏览/下载:399/10
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提交时间:2024/08/09
Bit error rate
Computer system recovery
Error correction
Radiation hardening
Recovery
Stochastic models
Arithmetic circuit
Bit-flips
Bitstreams
Computation errors
Error-recovery
Fault-tolerant
Flip's model
Soft error
Stochastic circuits
Stochastic computing
Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1-1
作者:
Liu, Qiang
;
Zhou, Hongyang
;
Jia, Xin
;
Yang, Yumeng
;
Mu, Zhiqiang
Adobe PDF(2468Kb)
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收藏
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浏览/下载:308/0
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提交时间:2022/11/04
Hardening
Ionizing radiation
MOSFET devices
Radiation effects
Radiation hardening
Radiation shielding
Silicon on insulator technology
Threshold voltage
MOS-FET
MOSFETs
Radiation hardening (electronic)
Radiation hardening (electronics)
Radiation immunity
Silicon on insulator
Total Ionizing Dose
Total ionizing dose hardening
Void embedded silicon on insulator
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