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Enhanced linearity of AlGaN/GaN HEMTs via dual-gate configuration for RF amplifier applications 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2025, 卷号: 227
作者:  Guo, Haowen;  Ye, Wenbo;  Zhou, Junmin;  Gu, Yitian;  Gao, Han
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RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:  Junmin Zhou;  Haowen Guo;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：398/2  |  提交时间：2023/07/28
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