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期刊论文 [2]
发表日期
2023 [1]
2021 [1]
出处
WULI XUEBA... [1]
发光学报 [1]
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National S... [1]
Science an... [1]
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Correlation of preparation conditions of SrRuO3 ultrathin films with topological Hall effect
期刊论文
WULI XUEBAO/ACTA PHYSICA SINICA, 2023, 卷号: 72, 期号: 9
作者:
Zhang, Jing-Xian
;
Bao, Ming-Rui
;
Ye, Fei
;
Liu, Jia
;
Cheng, Long
Adobe PDF(2527Kb)
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浏览/下载:298/1
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提交时间:2023/06/02
Crystallinity
Fermi liquids
Fermions
Molecular beam epitaxy
Molecular beams
Quantum Hall effect
Ruthenium
Ruthenium compounds
Spin Hall effect
Temperature
Topology
Transition metal oxides
Transport properties
Growth control
Highest temperature
Laser energy density
Laser molecular beam epitaxy
Lows-temperatures
Preparation conditions
SrRuO 3
Target surface
Thin-films
Topological hall effect
Degradation Mechanism of Pd/p-GaN Ohmic Contacts
期刊论文
发光学报, 2021, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1065-1073
作者:
Zhang, Fan
;
Wang, Rong-Xin
;
Huang, Si-Yi
;
Tian, Ai-Qin
;
Liu, Jian-Ping
Adobe PDF(3209Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:329/0
|
提交时间:2021/12/03
Annealing
Atomic force microscopy
Degradation
Electric contactors
Film preparation
Gallium
Gallium nitride
III
V semiconductors
Interface states
Metal analysis
Morphology
Ohmic contacts
Oxygen
Wide band gap semiconductors
X ray photoelectron spectroscopy
Annealing temperatures
Degradation mechanism
Different thickness
Heat treatment temperature
High
vacuum conditions
Oxygen incorporation
Preparation conditions
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