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物质科学与技术学院 [1]
作者
陆卫 [1]
陈效双 [1]
卫英东 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2023 [1]
出处
SENSORS [1]
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收录类别
EI [1]
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The Microscopic Mechanisms of Nonlinear Rectification on Si-MOSFETs Terahertz Detector
期刊论文
SENSORS, 2023, 卷号: 23, 期号: 12
作者:
Wei, Yingdong
;
Yao, Chenyu
;
Han, Li
;
Zhang, Libo
Adobe PDF(4201Kb)
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浏览/下载：383/0
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提交时间：2023/07/21
Electrons
Field effect transistors
III-V semiconductors
Plasma oscillations
Plasma waves
Semiconductor doping
Structure (composition)
Terahertz waves
Hot electron effects
Hydrodynamic modeling
Microscopic mechanisms
Non-resonant plasma oscillation regime
Nonlinear rectification
Nonresonant
Photoresponses
Si MOSFET
Tera Hertz
Terahertz detectors
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