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Field-Free Rashba-Type Crystal Torque MRAM with High Efficiency and Thermal Stability
会议论文
2024 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), San Francisco, CA, USA, 7-11 Dec. 2024
作者:
Puyang Huang
;
Shan Yao
;
Aitian Chen
;
Zhenghang Zhi
;
Chenyi Fu
Adobe PDF(1990Kb)
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浏览/下载：79/4
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提交时间：2025/03/03
Crystal symmetry
Diluted magnetic semiconductors
Dynamic random access storage
Electromagnetic induction
Magnetic core storage
Magnetic recording
Magnetic tape storage
MRAM devices
Semiconducting indium phosphide
Static random access storage
System-on-chip
A-stable
CdTe
High thermal
Higher efficiency
Magnetic random access memory
Metal systems
Rashba spin-orbit coupling
Spin orbits
Switching scheme
Write currents
Anomalous switching pattern in the ferrimagnetic memory cell
期刊论文
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2024, 卷号: 611
作者:
Xu, Zhuo
;
Yuan, Zhengping
;
Zhang, Xue
;
Xu, Zhengde
;
Qiao, Yixiao
Adobe PDF(2538Kb)
|
收藏
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浏览/下载：223/7
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提交时间：2024/11/22
Magnetic logic devices
Magnetic recording
Magnetization reversal
Magnetoresistance
MRAM devices
Compensation points
Ferrimagnetic memory cell
Ferrimagnetics
Ferrimagnets
Magnetic tunnel junction
Magnetization switching
Memory cell
Spin transfer torque
Switching patterns
Switching window
Orthogonal spin-orbit torque-induced deterministic switching in NiO
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 18
作者:
Qiao, Yixiao
;
Xu, Zhengde
;
Xu, Zhuo
;
Yang, Yumeng
;
Zhu, Zhifeng
Adobe PDF(884Kb)
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收藏
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浏览/下载：289/56
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提交时间：2024/11/19
Antiferromagnetism
Magnetic logic devices
Magnetic moments
Magnetic recording
Magnetoresistance
MRAM devices
Antiferromagnetics
Antiferromagnets
Deterministics
Electrical switching
Hall magnetoresistance
Magnetic random access memory
Orthogonal current
Spin orbits
Sub-lattices
Ultra-fast
Enhancement of Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy in Orthogonally-Magnetized CoFeB/MgO/CoFeB
会议论文
2024 IEEE INTERNATIONAL MAGNETIC CONFERENCE - SHORT PAPERS (INTERMAG SHORT PAPERS), Rio de Janeiro, Brazil, 5-10 May 2024
作者:
Puyang Huang
;
Aitian Chen
;
Xinyu Cai
;
Di Wu
;
Xi-Xiang Zhang
Adobe PDF(365Kb)
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浏览/下载：350/2
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提交时间：2024/07/08
Capacitance
Cobalt compounds
Iron compounds
Magnesia
Magnetic recording
MRAM devices
Anisotropy coefficients
Anisotropy effect
Circuit modeling
High-speed low-power
Interfacial capacitance
Magnetic tunneling junctions
Negative interfacial capacitance
Optimisations
Voltage-controled magnetic anisotropy effect
Voltage-controlled
Interfacial Resonance States-Induced Negative Tunneling Magneto-Resistance in Orthogonally Magnetized CoFeB/MgO/CoFeB
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2024, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 1-6
作者:
Puyang Huang
Adobe PDF(1265Kb)
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浏览/下载：1537/6
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提交时间：2023/09/24
First-principle calculation
interfacial resonant state
magnetic tunnel junction (MTJ)
negative tunneling magneto-resistance (TMR)
Cobalt compounds
Iron compounds
Magnesia
Magnetic anisotropy
MRAM devices
Tunnel junctions
Tunnelling magnetoresistance
First principle calculations
Interfacial resonant state
Magnetic tunneling
Magnetic tunneling junctions
Magnetic-field
Negative tunneling magneto-resistance
Perpendicular magnetic anisotropy
Resistance
Resonant state
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