×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [4]
作者
杨辉 [1]
郝修军 [1]
吴鹏 [1]
张帆 [1]
杨群 [1]
李萌 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [4]
发表日期
2024 [1]
2022 [1]
2021 [1]
2020 [1]
出处
ELECTRONIC... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
NANOMATERI... [1]
语种
英语 [4]
资助项目
Centre for... [1]
National N... [1]
Natural Sc... [1]
资助机构
收录类别
SCI [4]
EI [3]
SCIE [2]
SSCI [1]
北大核心 [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Effects of Miscut on Step Instabilities in Homo-Epitaxially Grown GaN
期刊论文
NANOMATERIALS, 2024, 卷号: 14, 期号: 9
作者:
Peng, Wu
;
Jianping, Liu
;
Fangzhi, Li
;
Xiaoyu, Ren
;
Aiqin, Tian
Adobe PDF(3377Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:296/1
|
提交时间:2024/05/20
GaN
step bunching
step meandering
Ehrlich-Schwoebel (E-S) barrier
miscut
MOCVD
AFM
Growth and characterization of InAsP/InAsSb superlattices by Metal Organic Chemical Vapor Deposition for mid-wavelength detection
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2022, 卷号: 41, 期号: 6, 页码: 995-1001
作者:
Huai Yun-Long
;
Zhu Hong
;
Zhu He
;
Liu Jia-Feng
;
Li Meng
Adobe PDF(2178Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:184/0
|
提交时间:2023/03/10
metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
InAsP/InAsSb superlattices
mid-wavelength infrared
Energy gap
III-V semiconductors
Indium arsenide
Industrial chemicals
Infrared devices
Infrared radiation
Lattice mismatch
Light absorption
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Organometallics
Surface morphology
Temperature
Absorption material
Cutoff wavelengths
Free strains
InAsP/inassb superlattix
K-p method
Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
Metal-organic chemical vapour depositions
Mid-wavelength infrared
Strain-balanced
Wavelength detection
Antimony segregation in an InAs/InAs1−xSbx superlattice grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 9
作者:
Yang, Qun
;
Yuan, Renliang
;
Wang, Lingling
;
Shi, Ruikai
;
Zuo, Jian-Min
Adobe PDF(5455Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:338/0
|
提交时间:2021/12/03
Chemical beam epitaxy
High resolution transmission electron microscopy
III
V semiconductors
Indium antimonides
Indium arsenide
Metallorganic chemical vapor deposition
Molecular beam epitaxy
Organic chemicals
Organometallics
Scanning electron microscopy
Segregation (metallography)
Surface reactions
A3. metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
Broad application
Growth directions
Metal organic precursors
Multilayer structures
Precision control
Scanning transmission electron microscopy
Segregation coefficients
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:249/0
|
提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
首页
上一页
1
下一页
末页