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1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
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RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:  Junmin Zhou;  Haowen Guo;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu
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Broadband (22-40 GHz) multistage MMIC low-noise amplifier 期刊论文
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 956-959
作者:  Gao, Xingzhen;  Yang, Shuang;  Gu, Jianzhong;  Wang, Wei;  Sun, Xiaowei
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