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1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)
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提交时间:2025/02/12
Distributed feedback lasers
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Junction gate field effect transistors
Leakage currents
Monolithic microwave integrated circuits
Noise figure
Enhancement-mode
Gallium nitride
High electron-mobility transistors
Low noiseamplifier
Low-noise amplifier
Metala sem-iconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT)
MOSHEMT
MOSHEMTs
Neutral beam etching
RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:
Junmin Zhou
;
Haowen Guo
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)
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收藏
|
浏览/下载:381/1
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提交时间:2023/07/28
Gallium nitride
III-V semiconductors
Leakage currents
Low noise amplifiers
Noise figure
Threshold voltage
Enhancement-mode
Gain
Gate
Gate-leakage
High electron-mobility transistors
Linearity
Low noiseamplifier
Performances evaluation
Radiofrequencies
RF low noise amplifier
Broadband (22-40 GHz) multistage MMIC low-noise amplifier
期刊论文
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 956-959
作者:
Gao, Xingzhen
;
Yang, Shuang
;
Gu, Jianzhong
;
Wang, Wei
;
Sun, Xiaowei
Adobe PDF(363Kb)
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收藏
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提交时间:2017/07/04
broadband
Ka-band
low noise amplifier (LNA)
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