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1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
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RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:  Junmin Zhou;  Haowen Guo;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：381/1  |  提交时间：2023/07/28
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