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物质科学与技术学院 [1]
作者
郝修军 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2020 [1]
出处
ELECTRONIC... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
Natural Sc... [1]
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Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
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浏览/下载：252/0
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提交时间：2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
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infrared detectors
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gallium compounds
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MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
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